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グローバル半導体材料・部品専門企業

Product

SI

ALCHEMISTの全製品は、産業の現場の要件に合わせて設計されており、
長年にわたり蓄積された技術力をもとに優れた耐久性・精度・安定性を実現、
安心してご使用いただけます。

SI 概要

Si(シリコン)は、半導体産業において最も広く利用されている核心的な材料で、安定した電気特性を発揮し、加工性に優れており、各種デバイスの構成品やウェハの製造に使用されます。

ドライエッチングでも優れた互換性と設計の自由度を高めることができ、複雑な形状の部品製作に適しています。

SI

エレクトロード(Electrode)

エレクトロードの微細孔から流入したガスに
RFパワーが引火してウェハをドライエッチングします。

仕様

Item

Electrode

Process

Etcher

Material

Single Crystal

Parts

Si Electrode

Size

Ø200 ~ 400 mm

Resistivity

Low: < 0.02 Ω·cm
Normal: 1~4 Ω·cm
High: 60~90 Ω·cm

Gas Hole

Diameter 0.3~1.0mm
Roundness < 0.05mm
Concentricity < 0.05mm

Surface Finish

Etching / Polishing / Lapping

Appearance

Chipping / Scratch / Crack / Stain Free


工程

  • Step 01
    제품 공정 이미지
    Rotary
  • Step 02
    제품 공정 이미지
    CNC
  • Step 03
    제품 공정 이미지
    Drill
  • Step 04
    제품 공정 이미지
    Hole Etching
  • Step 05
    제품 공정 이미지
    MCT
  • Step 06
    제품 공정 이미지
    Etching
  • Step 07
    제품 공정 이미지
    Polishing or Lapping
  • Step 08
    제품 공정 이미지
    RCA Cleaning
  • Step 09
    제품 공정 이미지
    inspection
  • Step 10
    제품 공정 이미지
    Packaging

SI

リング(Ring)

ウェハの外側部分でプラズマを制御してエッチングの均
一度を確保する核心的な部品です。

仕様

Item

Ring

Process

Etcher

Material

Single Crystal / Poly Crystal

Parts

Focus Ring, Edge Ring, Insert Ring

Size

Ø200 ~ 600 mm

Resistivity

Low: < 0.02 Ω·cm
Normal: 1~4 Ω·cm

Gas Hole

N/A

Surface Finish

Polishing / Lapping / Grinding

Appearance

Chipping / Scratch / Crack / Stain Free


工程

  • Step 01
    제품 공정 이미지
    Rotary
  • Step 02
    제품 공정 이미지
    CNC
  • Step 03
    제품 공정 이미지
    MCT
  • Step 04
    제품 공정 이미지
    Etching
  • Step 05
    제품 공정 이미지
    Polishing or Lapping
  • Step 06
    제품 공정 이미지
    RCA Cleaning
  • Step 07
    제품 공정 이미지
    inspection
  • Step 08
    제품 공정 이미지
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